НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ

Поиск по патентам



Страница 1 из 13 (Всего элементов: 128)

Фотоэлектрический модуль (варианты)

№ охранного документа: 21493

Автор(-ы):

Патентообладатель: Алферов Жорес Иванович (RU); Андреев Вячеслав Михайлович (RU); Зазимко Вадим Николаевич (RU); Ионова Евгения Александровна (RU) (RU); Ловыгин Игорь Владимирович (RU); Румянцев Валерий Дмитриевич (RU); Хвостиков Владимир Петрович (RU); Чалов Алексей Евгеньевич (RU); Шварц Максим Зиновьевич (RU)

Описание: Изобретение относится к области солнечной энергетики и в частности к фотоэлектрическим модулям. Наиболее успешно настоящее изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах. Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки и фронтальную панель из силикатного стекла с линзами Френеля на ее тыльной ст...


Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия

№ охранного документа: 21040

Автор(-ы): Антощенко Владимир Степанович (KZ); Лаврищев Олег Александрович (KZ); Францев Юрий Валерьевич

Патентообладатель: Республиканское государственное предприятие на праве хозяйственного ведения "Казахский национальный университет имени аль-Фараби" Министерства образования и науки Республики Казахстан пр. аль-Фараби, д. 71, г. Алматы, 050038 KZ

Описание: Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров. Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава. Предлагается способ ...


Способ получения пленки CuInSe2

№ охранного документа: 21146

Автор(-ы):

Патентообладатель: Дочернее государственное предприятие на праве хозяйственного ведения "Институт органического катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского" Республиканского государственного предприятия на праве хозяйственного ведения "Центр наук о Земле, металлургии и обогащения" Комитета науки Министерства образования и науки Республики Казахстан ул. Д. Кунаева, д. 142, г. Алматы, 050010 KZ

Описание: Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида индия меди CuInSe2. Известный способ получения пленки диселенида индия меди путем электроосаждения на титановую или никелевую подложки из раствора, содержащего InСI3, CuCI, SeO2 при силе тока 6мА/см2 и напряже­нии -0,7 + -0,5 В (нормальный каломельный электрод) не позволяет получать пленки CuInSe2 со строго заданным фазовым составом. Благодаря тому, что в предложенном с...


Способ получения пленки Cu2Se

№ охранного документа: 21145

Автор(-ы):

Патентообладатель: Дочернее государственное предприятие на праве хозяйственного ведения "Институт органического катализа и электрохимии им. Д.В. Сокольского" Республиканского государственного предприятия на праве хозяйственного ведения "Центр наук о Земле, металлургии и обогащения" Комитета науки Министерства образования и науки Республики Казахстан ул. Д. Кунаева, д. 142, г. Алматы, 050010 KZ

Описание: Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом. Благодаря тому, ...


Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

№ охранного документа: 21352

Автор(-ы):

Патентообладатель: Республиканское общественное объединение "Национальная Инженерная академия Республики Казахстан" ул. Богенбай батыра, д. 80, г. Алматы, 050012 KZ

Описание: Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок включает сме­шивание биалкоголята свинца и одного из металлов: либо стронция, либо кальция (0,1 -0,2) мас.% и висмутового купрата стро...


Способ получения отделенных пленок арсенида или фосфида галлия-алюминия

№ охранного документа: 1311

Автор(-ы): Антощенко Владимир Степанович

Патентообладатель: Казахский государственный национальный университет им. Аль-Фараби 480121 г. Алматы пр. Аль-Фараби, 71 KZ

Описание: Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается о...


Способ получения полупроводниковых тонкопленочных структур

№ охранного документа: 1312

Автор(-ы): Антощенко Владимир Степанович

Патентообладатель: Казахский государственный национальный университет им. Аль-Фараби 480121 г. Алматы, ул. Аль-Фараби, 71 KZ

Описание: Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводников...


Твердотельный спектральный детектор

№ охранного документа: 3009

Автор(-ы):

Патентообладатель: Казахский государственный национальный университет им. Аль-Фараби (KZ)

Описание: Предлагаемое изобретение относится к детекторам спектрального состава излучения и предназначено для идентификации различных спектров и определения отклонения спектра от исходного. Предложен твердотельный спектральный детектор, содержащий не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур, расположенных друг над другом и не менее двух полупроводниковых фоточувствительных структур с разными спектральными характеристиками, расп...


Регулятор мощности с диодами Zenera

№ охранного документа: 22379

Автор(-ы):

Патентообладатель: Квитка Василий Николаевич ул. Заводская, д. 23, кв. 222, абонентский ящик №9, г. Петропавловск, Северо-Казахстанская обл., 150004 KZ Пукема Василий Иванович Проезд Володарского, д. 47, кв. 101, г. Петропавловск, Северо-Казахстанская обл., 150000 KZ

Описание: Изобретение относится к устройствам импульсной техники. Регулятор мощности, содержащий тиристоры, резисторы, конденсаторы, отличающийся тем, что он снабжен диодами Zenera, соединенными анодами с резисторами, а катодами с конденсаторами и с галетным переключателем, который в свою очередь соединен с резисторами и с конденсатором. Применение осуществленного устройства позволяет расширить диапазон регулировки мощности, индицировать ее зн...


Способ изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем

№ охранного документа: 4073

Автор(-ы):

Патентообладатель: Национальный центр по радиоэлектронике и связи Республики Казахстан 480032, г Алматы, ул Розыбакиева, 263 KZ

Описание: Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окислен...


Страница 1 из 13 (Всего элементов: 128)